聚焦高性能模拟芯片和嵌入式处理器的半导体设计公司——思瑞浦3PEAK推出CMTI ±150kV/μs隔离栅极驱动——TPM2351x系列, 因其突出的产品优势，可广泛应用于IGBT、SiC MOSFET等功率器件的驱动中。

　　TPM2351x产品特点

　　兼容光耦输入的单通道隔离栅极驱动

　　可输出 4.5A 峰值拉电流、5A 峰值灌电流

　　40V输出供电电压

　　输入级具有6V反极性电压处理能力

　　70ns传输延迟

　　25ns器件间延迟匹配

　　35ns脉宽失真度

　　5kVRMS增强型隔离等级

　　±150kV/μs（最小值）共模瞬态抗扰度 (CMTI)

　　WSOP宽体封装

　　工作温度：-40℃ to +125℃

　　TPM2351x产品优势

　　CMTI 最小值 ±150kV/μs

　　共模瞬态抗扰度（CMTI）是隔离型栅极驱动器在较高开关频率下工作时需要考虑的一个重要参数。对原副边隔离的栅极驱动器来说，高噪声瞬变会导致栅极驱动器失去信号完整性，或者“毛刺”，从而导致系统调制失败;或者更糟的是，生成一个伪信号，其可能触发两个功率MOSFET同时接通，从而引发危险的电气短路情况。高瞬变也可能造成栅极驱动器进入一种永久的闩锁状态，这也会引发危险情况。隔离栅极驱动器的设计必须能够承受这些噪声瞬变，同时不会造成毛刺或闩锁。

　　思瑞浦TPM2351x系列产品能够承受超过±150kV/μs（最小值）共模瞬态抗扰度 (CMTI)，因此可以广泛用于IGBT、SiC MOSFET等功率器件的驱动中。下图展示了在±160kV/μs的CMT下TPM2351X的输出波形，可见输出未受原副边高瞬变干扰的影响。

　　内置米勒钳位功能（TPM23514M）

　　在半桥电路中，串扰现象是研究热点之一。例如，若上管处于关断状态，当下管开通暂态过程中，上管栅漏电容Cgd两端的电压阶跃引入了位移电流igd，流过栅极电阻，造成驱动电压正向尖峰，可能超过开通阈值电压，导致器件的误开通，增加开关损耗甚至导致直流侧母线短路。

　　TPM23514M提供内置米勒钳位功能，在高速开关下能有效减小功率器件误导通的风险。下图利用双脉冲实验对比了采用米勒钳位前后功率器件栅源电压Vgs的波形。未采用米勒钳位前，在下管开通暂态中，上管Vgs的电压变化量ΔV达到5V；在采用米勒钳位后，电压变化量ΔV减小到2V，大大降低了上管误导通的风险。

　　不带米勒钳位功能下双脉冲测试

　　带米勒钳位功能下双脉冲测试

　　TPM2351x产品典型应用

　　TPM2351x系列驱动芯片支持双极电源供电，能有效驱动SiC MOSFET、IGBT等功率器件。此外，TPM23514M提供内置米勒钳位功能，在高速开关下能有效减小功率器件误导通的风险。

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